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emmc nandrive 文章 進(jìn)入emmc nandrive技術(shù)社區
江波龍車(chē)規級/工業(yè)寬溫級/工規級 eMMC
- 受原廠(chǎng)減產(chǎn)，以及需求逐步復蘇的影響拉動(dòng)，目前半導體存儲產(chǎn)業(yè)進(jìn)入上行周期，存儲晶圓以及存儲器的價(jià)格均較年初有明顯上升，半導體存儲行業(yè)目前處于上行復蘇周期。江波龍作為存儲行業(yè)的領(lǐng)先廠(chǎng)商，公司在eMMC向UFS過(guò)渡關(guān)鍵時(shí)點(diǎn)仍然擁有領(lǐng)先的市場(chǎng)地位及技術(shù)優(yōu)勢，公司持續對UFS標準的新一代嵌入式存儲器投入研發(fā)，公司已經(jīng)量產(chǎn)出貨UFS系列產(chǎn)品。隨著(zhù)工業(yè)經(jīng)濟建設的發(fā)展，存儲產(chǎn)品在工業(yè)控制領(lǐng)域的重要性逐漸突顯，形成如今相對專(zhuān)業(yè)和獨立的地位。與浮動(dòng)較多的消費級市場(chǎng)相比，更為穩定的工控市場(chǎng)已經(jīng)成為了存儲企業(yè)的必爭之地。&nbs
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綠芯將在2024嵌入式展會(huì )展示其新推出的eMMC和NVMe NANDrive BGA固態(tài)硬盤(pán)
- 綠芯將于4月9日至11日在德國紐倫堡舉行的2024年嵌入式世界展會(huì ) ((embedded world 2024)，4A號館606展位)展示其新推出的高耐久性EX系列和高性?xún)r(jià)比的PX/VX系列NVMe和eMMC NANDrive?球柵陣列（BGA）固態(tài)硬盤(pán)，該產(chǎn)品用于工業(yè)控制和智能交通等高可靠應用。搭配高可靠3D TLC NAND的eMMC NANDrive VX系列專(zhuān)門(mén)為價(jià)格敏感但是要求高可靠的應用而準備，工作在寬溫（-25oC至+85oC）環(huán)境下，支持3千擦寫(xiě)次數。NVMe NANDrive PX系列工
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綠芯為工業(yè)控制和智能交通應用的客戶(hù)提供高可靠NVMe NANDrive BGA固態(tài)硬盤(pán)樣品
- 綠芯正在提供其新推出的NVMe NANDrive??BGA封裝的固態(tài)硬盤(pán)樣品，以滿(mǎn)足其用戶(hù)在高壓力、嚴苛工作環(huán)境的嵌入式應用中要求高可靠、高性能的數據存儲需求。NVMe NANDrive固態(tài)硬盤(pán)工作溫度-40oC至+95oC，支持PCIe Gen3x4接口，采用行業(yè)標準的M.2 1620（16 x 20mm，291球）BGA封裝。欲了解更多NVMe NANDrive 產(chǎn)品信息，請訪(fǎng)問(wèn)https://bit.ly/NVMe-BGA-SSD。綠芯總經(jīng)理王序倫表示："基于綠芯在PATA、SA
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綠芯推出更高耐久性EX系列和高性?xún)r(jià)比VX系列固態(tài)硬盤(pán)，以擴展其eMMC NANDrive? 產(chǎn)品組合
- EnduroSLC? eMMC NANDrive EX系列最高可達40萬(wàn)擦寫(xiě)次數； 高性?xún)r(jià)比eMMC NANDrive VX系列可在寬溫 (-25oC 至 +85oC) 環(huán)境下工作中國，北京和美國，硅谷 - EQS Newswire - 2023年12月19日 - 綠芯半導體新推出的高性?xún)r(jià)比VX系列為其客戶(hù)提供更廣泛的、高可靠的eMMC固態(tài)硬盤(pán)。eMMC NANDrive? VX系列采用153球封裝，搭配高可靠的3D TLC NAND (每單元3bit)，可在寬溫 (-25oC - +85oC)
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ROM、RAM、FLASH、DDR、EMMC都是什么？一次性搞清楚！
- 簡(jiǎn)單解釋ROMROM：只讀存儲器，內容寫(xiě)入后就不能更改了，制造成本比較低，常用于電腦中的開(kāi)機啟動(dòng)如啟動(dòng)光盤(pán)bios，在系統裝好的電腦上時(shí)，計算機將C盤(pán)目錄下的操作系統文件讀取至內存，然后通過(guò)cpu調用各種配件進(jìn)行工作這時(shí)系統存放存儲器為RAM。PROM：可編程程序只讀存儲器，但是只可以編寫(xiě)一次。EPROM：可抹除可編程只讀存儲器，可重復使用。EEPROM：電子式可抹除可編程只讀存儲器，類(lèi)似于EPROM但是摸除的方式是使用高電場(chǎng)完成。RAMRAM：隨機存取存儲器，也叫主存，是與CPU直接交換數據的內部存儲器
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Arasan宣布其臺積公司22nm工藝的完整eMMC IP解決方案
- 領(lǐng)先的移動(dòng)和汽車(chē)SoC半導體IP提供商Arasan Chip Systems今天宣布，用于臺積公司22nm工藝技術(shù)的eMMC PHY IP立即可用 加利福尼亞州圣何塞2021年1月21日 /美通社/ -- Arasan Chip Systems為臺積公司（TSMC）行業(yè)領(lǐng)先的22nm工藝技術(shù)擴展其IP產(chǎn)品，用于臺積公司22nm工藝SoC設計的eMMC PHY IP立即可用。臺積公司22nm工藝中的eMMC PHY IP可與Arasan的eMMC 5.1主機控制器IP和軟件無(wú)縫集成，從
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關(guān)于NAND閃存大科普
- 在半導體業(yè)，有非常多與接口標準、性能規格、功能特性和設計的真實(shí)可能性有關(guān)聯(lián)的假設、術(shù)語(yǔ)和誤解。因此，弄清事實(shí)很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯誤觀(guān)念?！ ≡谑褂闷诘男阅芎愣??！ 」虘B(tài)硬盤(pán)(SSD)寫(xiě)入數據愈多，特別是隨機數據，而控制器背后需處理的工作就越多。智慧量和您實(shí)際的讀取或寫(xiě)入處理可以為應用于交叉存取后臺管理工作的控制器開(kāi)創(chuàng )新局。對于在內部存儲器或硬件加速器方面資源較少的廉價(jià)控制器，可能會(huì )表現差勁，不是導致系統的使用壽命縮短就是性能大幅下降?！ ‰S著(zhù)PCIe銷(xiāo)售額的增加，SATA逐漸消失不見(jiàn)
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買(mǎi)個(gè)32G內存的手機為啥只有20幾個(gè)G？看完你就懂了
- 現在市面上存在NAND FLASH和eMMC這兩種的大容量存儲介質(zhì)，就是各類(lèi)移動(dòng)終端及手機的主要存儲介質(zhì)。兩者有何區別，存儲芯片的實(shí)際大小與標稱(chēng)值又有什么關(guān)系呢? 我們總是在說(shuō)手機內存，那到底是用什么介質(zhì)存儲的呢?99%是用NAND Flash和eMMC這兩種的存儲介質(zhì)。eMMC是近幾年智能手機興起后，為滿(mǎn)足不斷增大的系統文件而誕生的，是NAND Flash的升級版,他的結構如下： 我們接觸到的16G、32G等手機，為何實(shí)際
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ARM平臺數據為何會(huì )莫名其妙丟失
- Nand-Flash/eMMC(帶有Flash控制器的Nand-Flash)作為一種非線(xiàn)性宏單元模式存儲器，為固態(tài)大容量存儲的實(shí)現提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-Flash存儲器具有容量大，改寫(xiě)速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數據的存儲，因而越來(lái)越廣泛地應用在如嵌入式產(chǎn)品、智能手機、云端存儲資料庫等業(yè)界各領(lǐng)域?！ ?nbsp; 圖1 Nand-Flash與eMMC芯片 1.1存儲器件使用壽命 使用了Nand-Flash的主板出現丟數據掉程序現象，是一個(gè)讓無(wú)數工程師毛骨悚然的
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UFS可望5年內取代eMMC 成為移動(dòng)存儲器儲存新主流
- 通用快閃存儲器標準(UFS)可望取代eMMC，成為移動(dòng)存儲器儲存系統新主流，將成為未來(lái)旗艦手機標準配備，吸引存儲器控制芯片廠(chǎng)群聯(lián)與慧榮爭相推出產(chǎn)品卡位。 隨著(zhù)4K影音與虛擬實(shí)境等技術(shù)日漸成熟，引爆旗艦智能手機對更高速、超高畫(huà)質(zhì)影音的儲存需求，研調機構IHS預期，UFS可望在5年內取代eMMC，成為移動(dòng)存儲器儲存系統新主流。 瞄準UFS未來(lái)發(fā)展潛力，群聯(lián)搶在去年底即推出支援3D TLC的UFS 2.1快閃存儲器控制芯片PS8311，預計今年第1季量產(chǎn)出貨;群聯(lián)并計劃今年再推出一系列UFS芯片
- 關(guān)鍵字： UFS eMMC
emmc nandrive介紹
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